东芝发布用于车载设备的100V耐压功率

　　东芝上市了用于车载设备的＋100V耐压功率MOSFET “TK11S10N1L”。该产品为n沟道型。特点是导通电阻低。栅-源极间电压为＋10V时仅为28mΩ（最大值）。通过将利用该公司自主制造技术“U-MOSVIII-H”制造的MOSFET芯片封装在低电阻封装DPAK＋中，降低了导通电阻。预定取得车载用分立半导体质量标准“AEC-Q101”的认证。可用于发动机用电子控制单元（ECU）、LED前大灯、车载用DC-DC转换器、电机驱动电路等用途。

　　最大漏极电流，连续信号时为11A，脉冲信号时为 A。漏极截止电流只有10μA（最大值）。栅极阈值电压的最小值为1.5V，最大值为2.5V。栅-源极间电压为＋4.5V时的导通电阻为50mΩ（最大值）。栅极电荷量为15nC（标称值）。输入容量为850pF（标称值）。反馈容量为67pF（标称值）。输出容量为 70pF（标称值）。开关时间方面，导通时为29ns（标称值），关断时为 6ns（标称值）。100V耐压品支持＋4.5V的逻辑电平。由于开关噪声小，因此可降低辐射噪声（EMI）。最大工作沟道温度高达＋175℃。价格尚未公开。（：山下胜己）