三星全球率先推出40纳米级动态存储芯片

　　世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级 2GB DRAM（动态随机存取记忆体）模块，并计划从4月开始生产该产品。

　　40纳米（10亿分之1米）工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，芯片的集成度和生产效率就越高。

　　三星电子在2009年 月实现了50纳米级16GB DRAM模块的批量生产，而仅隔一年就把容量提高两倍，芯片生产效率则提高了60%。最近，高性能服务器要求将存储器容量提高至GB的1000倍，即TB（千千兆）级以上，因此预计40纳米级 2GB DRAM的用途将非常大。搭载该半导体的服务器（中型计算机）以及台式、本式个人电脑将比之前产品的主存储量增加一倍。

　　三星电子副社长金东守称：“由于使用超节电技术，这次推出的40纳米级 2GB DRAM模块的主存储量增加，耗电量降低，为需要大容量存储器的服务器以及个人电脑提供了高性能、低电力的存储解决方案，这点非常有意义。” 比如，使用96GB容量动态存储的服务器，搭载40纳米级4GBDDR 动态内存的产品要比40纳米级2GBDDR 动态内存模型的耗电量最多可减少 5%。三星电子计划在上半年内将把在服务器和个人电脑用动态内存中的40纳米级DDR动态内存供应比率提高到90%以上。

　　三星电子芯片项目部存储器业务总经理赵秀仁表示：“今年将量产40纳米级 2GB DRAM模块，同时，三星电子已开发了与40纳米级相比更先进的 0纳米级生产工程技术，下半年将推出 0纳米级产品，继续抢占市场。”

　　（来源：国家软件与集成电路促进中心）

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