英飞凌推出新款IGBT通过追加Kelvi

　　德国英飞凌科技推出新款IGBT，采用追加了Kelvin发射极端的TO-封装，从而将开关损耗削减20％。过去采用 端子TO-247封装时，电力和控制反馈信号都要通过发射极端子的寄生电感后传导出去。发射极端子的寄生电感较大时，开关损耗就会增大。而此次追加Kelvin发射极端子作为控制反馈信号的通过路径，与 端子构造的TO-247封装相比，将寄生电感削减了20％。据介绍，由此关断时的开关损耗可削减20％、导通时的开关损耗可削减15％。新产品主要面向不间断电源（UPS）、焊接机用DC-D转换器、数据中心用DC-DC转换器以及太阳能发电系统用逆变器等。

　　IGBT芯片采用英飞凌自主开发的“TRENCHSTOP 5”技术制造。集电极-发射极间电压为650V。开关频率支持10k～120kHz。根据最大集电极电流的大小以及反并联二极管的有无等，共准备了7款产品。

　　比如，最大集电极电流为75A、配备反并联二极管（采用英飞凌自主开发的“RAPID 2”技术制造）的“IKZ75N65NH5”的特性如下：集电极-发射极间的饱和电压为1.65V（标称值），引力容量为4 00pF（标称值），输出容量为1 0pF（标称值），反馈电容为16pF（标称值），栅极容量为166.0nC（标称值），发射极电极的电感为1 .0nH（标称值）。导通时的能量为0.88mJ（标称值），关断时为0.52mJ（标称值）。内置二极管的正向电压为1.60V（标称值）。工作接合部温度范围为-40～+175℃。价格尚未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）