DRAM微缩到极限新存储器MRAMReR新时代

DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，业界认为下一代存储器 磁电阻式随机存取存储器 （MRAM）、 可变电阻式存储器 （ReRAM）可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。

韩媒BusinessKorea 16导，南韩半导体业者指出，16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限，10纳米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数（High-K）材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。

两种新存储器都是非挥发性存储器，切断电源后资料也不会消失，速度比现行存储器快上数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中MRAM采用磁阻效应（Magnetoresistance）技术，研发业者有SK海力士（SK Hynix【环球综合报道】据俄新社3月4日消息）、东芝（Toshiba）。ReRAM则靠着绝缘体的电阻变化，区别0和1，外界认为或许能取代NAND型快闪存储器（NAND Flash）。

日经2014年1月1导，东芝（Toshiba）将携手南韩海力士（SK Hynix）预定2016年度量产大幅提高智能性能的下一代存储器 磁电阻式随机存取存储器（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM） ，量产时间将比美国美光科技（Micron Technology）所计画的 2018 年提前了约2年时间。

MRAM 研发可分为三大阵营，除了上述的东芝/SK海力士之外，三星电子也正进行研发，而美光则和东京威力科创（Tokyo Electron）等20家以上日美半导体相关企业进行合作，希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划 2018年透过美光子公司尔必达（Elpida）的广岛工厂进行量产。

Market Realist去年4月28导，美光科技（Micron Technology）和Sony在国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference）上表示，正透过27纳米制程，开发16-Gbit的ReRAM；Sony预定2015年量产ReRAM晶片。专家表示，三星 （Samsung）应该也在研发包括ReRAM的下一代储存科技。