Vishay推出新款8VP沟道Trenc

　　Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录

　　器件在4.5V下导通电阻仅为 4m ，具有1.6mm x 1.6mm的占位面积和不到0.8mm的高度，可在1.2V的电压下导通，适用于更低电压的手持式电子产品

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiB4 7EDKT。此外，SiB4 7EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。

　　新款SiB4 7EDKT可用做智能、MP 播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。器件的热增强Thin PowerPAK SC-75封装占位面积小，超薄的高度只有0.65mm，能够实现更小、更薄的终端产品，而低导通电阻意味着更低的传导损耗，节约能源，并在这些设备中最大化电池的运行时间。

　　MOSFET可在1.5V和1.2V电压下导通，能够搭配手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压，从而省去了电平转换电路的空间和成本。在手持设备中电池电量较低，并且要求消耗尽可能少的能量时，这种MOSFET尤其有用。

　　SiB4 7EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有 4m 、6 m 、84m 和180m 的超低导通电阻。同样采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P沟道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为 7m 、65m 和100m ，这些数值分别比SiB4 7EDKT高8%、5%和16%。

　　SiB4 7EDKT经过了100%的Rg测试，符合IEC 的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保护为2000V。

　　新款SiB4 7EDKT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。